摘要: 当具有小空腔的均匀介貭受到γ射线輻照时,在空腔中的电子能谱与均匀介质的情形有所不同。室腔中的电子能譜等于x(T)I(T),其中I(T)是均勻介貭(沒有空腔时)的电子能譜,而x(T)是能譜畸变度。本文从理論上給出了任意形状的空腔的x(T),并对球形空腔的情形进行了計算;討論了空腔大小、室壁材料和空腔气体对电子能譜的影响;給出了石墨、鋁、銅、錫和鉛作为介质,空气作为室腔气体的x(T)的理論曲綫。在附录中給出了本文的基本假定之一——电子径迹直线化近似在处理电子通过两种不同介貭交界面的問題中的应用。